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    IRF9Z34NL
  2. 制造廠商:IR(International Rectifier,國際整流器公司)
  3. 類別封裝:單端場效應(yīng)管,TO-262
  4. 技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
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  6. (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
  7. 參數(shù)詳情:
  8. 制造商產(chǎn)品型號:IRF9Z34NL
  9. 制造廠家名稱:IR(International Rectifier,國際整流器公司,已被英飛凌INFINEON收購)
  10. 描述:MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
  11. 系列:HEXFET
  12. FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
  13. FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  14. 漏源極電壓 (Vdss):55V
  15. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):19A(Tc)
  16. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):100 毫歐 @ 10A,10V
  17. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  18. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):35nC @ 10V
  19. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):620pF @ 25V
  20. 功率 - 最大值:3.8W
  21. 安裝類型:通孔
  22. 產(chǎn)品封裝:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
  23. 供應(yīng)商器件封裝:TO-262
  24. IRF9Z34NL的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
  25. 點擊下圖下載技術(shù)文檔
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